Янв29

Корпорация Samsung разработала самые плотные модули оперативной памяти

Корпорация Samsung разработала самые плотные модули оперативной памяти

Стало известно, что корпорация Samsung Electronics использовала 50-нм технологический процесс для создания модулей оперативной памяти DDR3, при этом вместимость одного чипа достигла 4 Гб. Использования новых чипов оперативной памяти позволяет создавать планки памяти для портативных компьютеров и ноутбуков объемом 8 Гб, а для настольных компьютеров 16 Гб. Также сообщается, что благодаря плотной сборке возможно достижения объема оперативной памяти 16 Гб и 32 Гб соответственно для мобильных модулей и планок ОЗУ для настольных компьютеров.

В первую очередь новые модули оперативной памяти найдут применение в серверных системах, где позволят значительно увеличить скорость обработки информации. Также существуют перспективы использования 50-нм технологического процесса в производстве чипов ОЗУ для ноутбуков благодаря сниженному энергопотреблению, которое почти на 40 процентов ниже, чем в современных мобильных модулях оперативной памяти.